StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V

ISC012N03LF2S

Public

Datasheet

4

Revision 1.1

https://www.infineon.com

2024‑11‑25

2   Thermal characteristics

Table 3      Thermal characteristics

Parameter

Symbol

Values

Unit Note / Test condition

Min.

Typ.

Max.

Thermal resistance, junction ‑ case

R

‑

‑

0.9

°C/W

‑

Thermal resistance, junction ‑ case,

top

R

‑

‑

20

°C/W

Thermal resistance, junction ‑ 

ambient,

minimal footprint 5)

R

‑

‑

50

°C/W

    Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm  (one layer, 70 μm thick) copper area for drain connection. PCB 

5)

2

is vertical in still air.

thJC

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thJA